參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1027
廠商： Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd.
英文描述： Darlington Transistor(15A NPN)
中文描述： 達(dá)林頓晶體管（第15A NPN）的
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 458K
代理商： 2SD1027
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : MTO-3P
Darlington Transistor
15A NPN
2SD1027
(T15L20)
●
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Tstg
Tj
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
TOR
Conditions
Ratings
-55
～
+
1
50
+
1
50
200
200
7
1
5
22
1
2
1
00
0.8
Unit
℃
℃
V
V
V
A
A
A
A
W
N
m
Storage Temperature
Junction Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current DC
Collector Current Peak
Base Current DC
Base Current Peak
Total Transistor Dissipation
Mounting Torque
Tc = 25
℃
(Recommended torque : 0.5N
m
）
●
Electrical Characteristics (Tc=25
℃
)
Item
Symbol
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Conditions
Ratings
Max 0.
1
Max 0.
1
Max 5
Min
1
,500
Max 30,000
Max
1
.5
Max 2.0
Max
1
.25
TYP 20
Max 2
Unit
mA
Collector Cutoff Current
V
CB
= 200V
V
CE
= 200V
V
EB
= 7V
V
CE
= 3V, I
C
=
1
0A
Emitter Cutoff Current
mA
DC Current Gain
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
θ
jc
f
T
ton
I
C
=
1
0A
I
B
= 30mA
Junction to case
V
CE
=
1
0V, I
C
=
1
.5A
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage
Thermal Resistance
Transition Frequency
Turn on Time
℃
/W
MHz
I
C
=
1
0A
I
B
1
= I
B2
= 30mA
R
L
= 3
Ω
V
BB2
= 4V
Storage Time
ts
Max 8
μ
s
Fall Time
tf
Max 5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1030 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD1032 SI NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR
2SD1032A CABLE ASSEMBLY; LEAD-FREE SOLDER; BNC FEMALE TO BNC FEMALE; 50 OHM, RG142B/U COAX, DOUBLE SHIELDED; 12" CABLE LENGTH; *USES STANDARD 50 OHM INTERFACE CONNECTORS*
2SD1044 SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON
2SD1105 SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA DARLINGTON
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1027-7100 功能描述:達(dá)林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1027-7112 功能描述:達(dá)林頓晶體管 V=200 IC=15 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD103 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SD1030 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD10300RL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*