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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1060L-Q-TN3-T |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | 2SD1060L-Q-TN3-T |
2SD1060
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
4 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R208-023.C
TYPICAL CHARACTERISTICS
Collector Current vs. Collector-to-Emitter Voltage
Collector-to-Emitter Voltage, VCE (V)
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
Co
lle
cto
rC
u
rre
nt,
I C
(A)
0
2
4
6
8
10
50mA
100mA
150mA
Collector Current vs. Base-to-Emitter Voltage
Base-to-Emitter Voltage, VBE (V)
0
0.2
0.4
0.6
1.0
1.2
1.4
Co
lle
ctor
Curre
nt,
I
C
(A)
0
2
4
6
8
10
VCE=2V
0.8
9
7
5
3
1
2
5
℃
-2
0
℃
IB=0
30
0m
A
25
0m
A
200mA
5
0
m
A
450mA
40
0m
A
35
0m
A
T
a
=
8
0
℃
DC
C
u
rren
tGain
,h
FE
Ta
=8
0
Collector-Emitter
Satu
ration
Volt
age,
V
CE
(SAT
)(V
)
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Collector Current, IC (A)
0.1
0.01
10
5
2
0.1
5
3
2
23
5
2
3
5
1.0
10
23
5
2
IC/IB=20
Ta
=8
0
25℃
-20℃
5
3
2
1.0
3
C
o
llector-Emi
tter
Satu
ra
tion
Vo
ltag
e,
V
CE(SAT
)(V)
Base-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
Collector Current, IC (A)
0.1
10
5
2
1.0
5
3
2
23
5
2
3
5
1.0
10
23
5
2
IC/IB=10
3
Base-Emitter
Satura
ti
on
Vo
ltag
e,
V
BE(SAT
)(V)
7
IC/IB=20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1060-R-TN3-T | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
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| 2SD1060-Q-TN3-R | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SD1060-Q-TN3-T | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SD1060L-R-TN3-T | 5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1060L-X-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1060L-X-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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