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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1062-R |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 2SD1062-R |
2SB826 / 2SD1062
No.723-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)1A
70*
280*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)5A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
10
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)6A, IB=(--)0.3A
(--0.5)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(0.2)0.1
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.4)1.2
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(0.1)0.05
s
* : The 2SB826 / 2SD1062 are classified by 1A hFE as follows :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140
100 to 200
140 to 280
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7507-001
10.2
5.1
4.5
1.3
15.1
14.0
2.7
6.3
3.6
18.0
(5.6)
2.7
1.2
0.8
0.4
2.55
12
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--16
--12
--14
--10
--8
--6
--4
--2
2SB826
2SD1062
20mA
40mA
60mA
80mA
100mA
600mA
400mA
1A
200mA
ITR08462
0
--0.4
--1.4
--1.2
--1.0
--0.2
--0.6
--0.8
16
12
14
10
8
6
4
2
0
0.6
1.4
1.2
0.2
0.4
0.8
1.0
--80mA
--60mA
--20mA
--40mA
--800mA
--400mA
--600mA
--200mA
--1A
--100mA
IB=0mA
ITR08461
PW=20
s
tr, tf ≤15ns
VR
100
RB
1
VCC=20V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
4
1
F
1F
IB1
IB2
IC=10IB1= --10IB2=5A
For PNP, the polarity is reversed.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB826-R | 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1065 | 15 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SD1065-R | 15 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD1065-S | 15 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB829 | 15 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1062S | 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
| 2SD1063 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS.TO-3PB60V 7A 60W BCE |
| 2SD1063Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR |
| 2SD1063R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR |
| 2SD1063S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218VAR |
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