參數(shù)資料
型號： 2SD1145G
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-51, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 27K
代理商： 2SD1145G
2SD1145
No.784–2/3
5
3
2
1
4
0
01
2
5
4
3
IC -- VCE
IB=0
ITR09962
5mA
10mA
15mA
40mA
30mA
20mA
5
3
2
1
4
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
IC -- VCE
IB=0
ITR09963
10mA
15mA
20mA
30mA
40mA
50mA
60mA
5mA
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
5
4
3
2
1
0
IC -- VBE
ITR09964
VCE=2V
(Pulse)
hFE -- IC
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
0.01
23
5
0.1
23
1.0
10
ITR09965
VCE=2V
(Pulse)
Ta
=
7
5°
C
--25
°C
25
°C
Ta=75°
C
--25°C
25
°C
f T -- IC
ITR09966
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
100
10
2
27
35
100
27
35
ITR09967
f=1MHz
2
5
7
3
5
7
3
1000
100
10
23
5 7
23
5 7
7
0.1
57 0.01
23
5
1.0
10
ITR09968
VCE(sat) -- IC
IC / IB=50
(Pulse)
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
7
10
23
5
100
1000
VCE=10V
(Pulse)
Ta=75°
C
--25°C
25°
C
2
5
7
3
5
7
3
10
1.0
0.1
23
5 7
23
5 7
7
0.1
57 0.01
23
5
1.0
10
ITR09969
VBE(sat) -- IC
IC / IB=50
(Pulse)
Ta=75°C
--25°C
25°C
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
–
MHz
Collector Current, IC – mA
Collector-to-Base Voltage, VCB – V
Output
Capacitance,
Cob
–
pF
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
mV
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
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