參數(shù)資料
型號： 2SD1207R
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： 2SD1207R
2SB892 / 2SD1207
No.930-2/5
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1*
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
100
560
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1.5A
40
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(22)12
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--0.3)0.15
(--0.7)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
(--)0.9
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
* : The 2SB892 / 2SD1207 are graded as follows by hFE at 100mA :
Rank
R
S
T
U
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
280 to 560
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7520-002
12 3
0.5
0.6
1.45
6.0
4.7
5.0
3.0
1.0
8.5
14.0
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : MP
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
--2.4
--2.0
--1.6
--0.8
--1.2
--0.4
0
--2.4
--1.6
--2.0
--1.2
--0.4
--0.8
2.4
2.0
1.6
0.8
1.2
0.4
0
02.4
1.6
2.0
1.2
0.4
0.8
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--50mA
2mA
4mA
8mA
50mA
40mA
25mA
15mA
--20mA
--10mA
IB=0mA
ITR08646
IB=0mA
ITR08647
2SB892
2SD1207
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1207S 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB892S 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB892 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
2SB892R 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB892U 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1207S 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1207S-AE 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SD1207U 功能描述:TRANS NPN BIPO 2A 50V MP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:* 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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