參數(shù)資料
型號： 2SD1209KTZ-E
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-51, TO-92MOD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： 2SD1209KTZ-E
2SD1209(K)
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO
60
—
V
IC = 0.1 mA, IE = 0
Collector cutoff current
ICEO
—
100
A
VCE = 60 V, RBE =
∞
Emitter cutoff current
IEBO
—
100
A
VEB = 7 V, IC = 0
DC current transfer ratio
hFE
4000
—
VCE = 3 V, IC = 0.5 A*
1
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
—
1.5
V
IC = 500 mA, IB = 0.5 mA*
1
Base to emitter saturation voltage
VBE(sat)
—
2.0
V
IC = 500 mA, IB = 0.5 mA*
1
Note:
1. Pulse test
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PDF描述
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