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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1237-R |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | 2SD1237-R |
2SB921 / 2SD1237
No.991-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1*
VCE=(--)2V, IC=(--)1A
70*
280*
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)4A
30
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
20
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)4A, IB=(--)0.4A
(--0.5)0.4
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)1mA, IE=0
(--)120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)80
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)1mA, IC=0
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified test circuit.
(0.2)0.1
s
Storage Time
tstg
See specified test circuit.
(0.7)1.6
s
Fall Time
tf
See specified test circuit.
(0.2)0.4
s
*The 2SB921 / 2SD1237 are graded as follows by hFE at 1A :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140
100 to 200
140 to 280
Swicthing Time Test Circuit
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IC -- VCE
IT04427
2SB921
From top
--500mA
--450mA
--400mA
Pulse
IB=0
IC -- VCE
IT04428
2SD1237
IB=0
--100mA
--50mA
--300mA
--150mA
--200mA
--250mA
100mA
150mA
200mA
400mA
250mA
300mA
50mA
350mA
500mA
450mA
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IC -- VCE
IT04429
2SB921
From top
--500mA
--450mA
--400mA
--350mA
--300mA
--250mA
--200mA
IB=0
IC -- VCE
IT04430
2SD1237
From top
500mA
450mA
400mA
350mA
IB=0
--150mA
--100mA
150mA
200mA
250mA
300mA
100mA
Pulse
--350mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
VR=100
RB=1
VCC=50V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL=1.67
1
F1F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤2.5%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=2A
For PNP, the polarity is reversed.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB921-Q | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB921S | 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1237-S | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1237 | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1237S | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1237S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220 |
| 2SD1238L | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:80V/12A Switching Applications |
| 2SD1238LQ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 12A I(C) |
| 2SD1238LR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 12A I(C) |
| 2SD1238LS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 12A I(C) |
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