參數(shù)資料
型號： 2SD1262P
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 242K
代理商： 2SD1262P
2SC3930
2
SJC00141BED
IB VBE
IC VBE
VCE(sat) IC
PC Ta
IC VCE
IC IB
hFE IC
fT IE
Zrb IE
0
160
40
120
80
0
200
160
120
80
40
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
018
612
0
12
10
8
6
4
2
Ta
= 25°C
IB
= 100 A
80
A
60
A
40
A
20
A
Collector
current
I
C
(mA
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
100
80
20
60
40
0
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
Base current I
B (A)
Collector
current
I
C
(mA
)
0
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
120
100
80
60
40
20
VCE
= 10 V
Ta
= 25°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Base
current
I
B
(
A
)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
60
50
40
30
20
10
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 10
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
240
200
160
120
80
40
VCE
= 10 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (mA)
0.1
1
10
100
0
400
300
100
200
VCB
= 10 V
f
= 100 MHz
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
0.1
1
10
0
60
50
40
30
20
10
VCB
= 10 V
f
= 2 MHz
Ta
= 25°C
Reverse
transfer
impedance
Z
rb
(
)
Emitter current I
E (mA)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1263AP 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1263Q 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1263R 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1265A 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1266APQ 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1262Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-221VAR
2SD1262R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-221VAR
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2SD1263/2SD1263A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SD1263. 2SD1263A - NPN Transistor
2SD12630P 功能描述:TRANS NPN 250VCEO 750MA TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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