參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1262R
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大小： 242K
代理商： 2SD1262R
2SC3930
3
SJC00141BED
Cre VCE
GP IE
NF
I
E
bie gie
bre gre
bfe gfe
boe goe
0.1
1
10
100
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
f
= 10.7 MHz
Ta
= 25°C
IC
= 3 mA
1 mA
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Reverse
transfer
capacitance
C
re
(pF)
(Common
emitter)
0.1
1
10
100
0
24
20
16
12
8
4
VCE
= 10 V
f
= 100 MHz
Ta
= 25°C
Power
gain
G
P
(dB
)
Emitter current I
E (mA)
0.1
1
10
0
12
10
8
6
4
2
VCB
= 6 V
f
= 100 MHz
Rg
= 50
Ta
= 25°C
Noise
figure
NF
(dB
)
Emitter current I
E (mA)
040
32
824
16
0
24
20
16
12
8
4
Vie
= g
ie + jbie
VCE
= 10 V
f
= 10.7 MHz
I E
=
1
mA
2 mA
4 mA
7 mA
58
100
Input conductance g
ie (mS)
Input
susceptance
b
ie
(mS
)
0.5
0
0.1
0.4
0.2
0.3
0.6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
yre
= g
re
+ jb
re
VCE
= 10 V
f
= 10.7 MHz
IE
= 1 mA
58
100
Reverse transfer conductance g
re (mS)
Reverse
transfer
susceptance
b
re
(mS
)
0
100
80
20
60
40
120
0
20
40
60
80
100
yfe
= g
fe
+ jb
fe
VCE
= 10 V
f
= 10.7 MHz
10.7
0.1 mA
1 mA
2 mA
IE
= 4 mA
100
58
Forward transfer conductance g
fe (mS)
Forward
transfer
susceptance
b
fe
(mS
)
0
0.5
0.4
0.1
0.3
0.2
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
yoe
= g
oe
+ jb
oe
VCE
= 10 V
f
= 10.7 MHz
IE
= 1 mA
58
100
Output conductance g
oe (mS)
Output
susceptance
b
oe
(mS
)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1262AQ 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1262P 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1263AP 0.75 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1263Q 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1263R 0.75 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1263 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATS. TRANS. TO-220AB 400V .75A 35W BCE 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1263/2SD1263A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SD1263. 2SD1263A - NPN Transistor
2SD12630P 功能描述:TRANS NPN 250VCEO 750MA TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1263A 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD1263AP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 750MA I(C) | SOT-186
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