參數(shù)資料
型號: 2SD1269R
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 252K
代理商: 2SD1269R
2SD1269
3
SJD00183BED
Rth t
1
102
101
10
103
102
103
104
102
10
1
101
103
102
104
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
C/W)
(1)
(2)
(1)Without heat sink
(2)With a 100
×100×2mm Al heat sink
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1270PQ 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1273AO 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1273PQ 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1273AQ 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1276Q 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1270 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SD12700P 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1270P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
2SD1270Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186
2SD1270R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186