參數(shù)資料
型號: 2SD1276R
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 204K
代理商: 2SD1276R
2SD1276, 2SD1276A
2
SJD00190BED
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Safe operation area
Rth t
0
160
40
120
80
0
10
20
30
40
50
Collector
power
dissipation
P
C
(W)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 100
×100×2mm
Al heat sink
(3)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(4)Without heat sink
(PC=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
010
24
8
6
0
2
4
6
10
8
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
IB=4.0mA
TC=25C
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
1.5mA
1.0mA
0.5mA
0
2
4
6
10
8
0
3.2
0.8
2.4
1.6
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(A)
VCE=3V
TC=100C
–25C
25C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
Collector current I
C (A)
IC/IB=250
TC=100C
25C
–25C
0.01
0.1
1
10
102
103
104
105
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
VCE=3V
TC=100C
25C
–25C
0.1
1
10
100
1
10
102
103
104
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
Collector-base voltage V
CB (V)
IE=0
f=1MHz
TC=25C
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1 000
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Non repetitive pulse
TC=25C
ICP
IC
t=10ms
DC
t=1ms
2SD1276
2SD1276A
1
102
101
10
103
102
103
104
102
10
1
101
103
102
104
Time t (s)
Thermal
resistance
R
th
C/W)
(1)
(2)
(1)Without heat sink
(2)With a 100
×100×2mm Al heat sink
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1286-Z-T2 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1286-Z-T1K 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1286-Z-T1L 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1286-Z-T2L 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1286-Z-T2M 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1277 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SD1277/2SD1277A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SD1277. 2SD1277A - NPN Transistor Darlington
2SD12770P 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 8A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1277A 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
2SD1277AP 功能描述:TRANS NPN LF 80VCEO 8A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR