型號: | 2SD1321H |
廠商: | PANASONIC CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 8 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁數: | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 141K |
代理商: | 2SD1321H |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD1752ATX | 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2N7270DPBF | 11 A, 500 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
2SD2122SB | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2N2924APP | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N6728/D10Z | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SD1325 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 50V 2A 35W BCE |
2SD1326 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 50V 4A 40W BCE |
2SD1328 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD132800L | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCED MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD13280RL | 功能描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |