型號: | 2SD1403 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-218VAR |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 800V的五(巴西)總裁| 6A條一(c)|至218VAR |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大?。?/td> | 63K |
代理商: | 2SD1403 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD1405 | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
2SD1406 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220VAR |
2SD1407 | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
2SD1407A | |
2SD1407AO | Low-Power, Single/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD1404 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:2SD1404 |
2SD1406 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SD1407A-O(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1407A-Y(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1407A-YF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |