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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1415A |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | 2SD1415A |
2SD1415A
2009-12-21
4
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
0
25°C
50°C
Tc = 100°C
Common emitter
VCE = 3 V
2
4
6
8
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
10
0.01
1
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
3
30
100
300
1 ms*
DC operation
Tc = 25°C
IC max (pulse)
IC max
(continuous)
100 μs*
10 ms*
100 ms*
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
VCEO max
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1419DETL-E | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DETL-E | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DE | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420 | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1420EC | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SD1416 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR2-10L1A 80V 7A 40W BCE |
| 2SD1418DB(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
| 2SD1418DBTR | 制造商:HITACHI 功能描述: |
| 2SD1418DBTR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
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