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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1418DB |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | UPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | 2SD1418DB |
2SD1418
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
120
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
80
V
Emitter to base voltage
V
EBO
5V
Collector current
I
C
1A
Collector peak current
i
C(peak)*
1
2A
Collector power dissipation
P
C*
2
1W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW
≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 20%
2. Value on the alumina ceramic board (12.5 x 20 x 0.7 mm)
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
120
—
V
I
C = 10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
80
—
V
I
C = 1 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5—
—
V
I
E = 10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
——
10
AV
CB = 100 V, IE = 0
DC current transfer ratio
h
FE1*
1
60
—
320
V
EB = 5 V, IC = 150 mA*
2
h
FE2
30
—
V
CE = 5 V, IC = 500 mA*
2
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
—
1VI
C = 500 mA, IB = 50 mA*
2
Base to emitter voltage
V
BE
—
1.5
V
CE = 5 V, IC = 150 mA*
2
Gain bandwidth product
f
T
—
140
—
MHz
V
CE = 5 V, IC = 150 mA*
2
Collector output capacitance
Cob
—
12
—
pF
V
CB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
Notes: 1. The 2SD1418 is grouped by h
FE1 as follows.
2. Pulse test
Mark
DA
DB
DC
h
FE1
60 to 120
100 to 200
160 to 320
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1418DBTR-E | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1418DCTR-E | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419-DE | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419-DD | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1419DE | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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參數(shù)描述 |
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