參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1418DBTR-E
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-62, UPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： 2SD1418DBTR-E
2SD1418
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown voltage
V(BR)CBO
120
—
V
IC = 10
A, IE = 0
Collector to emitter breakdown voltage
V(BR)CEO
80
—
V
IC = 1 mA, RBE =
∞
Emitter to base breakdown voltage
V(BR)EBO
5
—
V
IE = 10
A, IC = 0
Collector cutoff current
ICBO
—
10
A
VCB = 100 V, IE = 0
DC current transfer ratio
hFE1*
1
60
—
320
VEB = 5 V, IC = 150 mA*
2
hFE2
30
—
VCE = 5 V, IC = 500 mA*
2
Collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)
—
1
V
IC = 500 mA, IB = 50 mA*
2
Base to emitter voltage
VBE
—
1.5
V
VCE = 5 V, IC = 150 mA*
2
Gain bandwidth product
fT
—
140
—
MHz
VCE = 5 V, IC = 150 mA*
2
Collector output capacitance
Cob
—
12
—
pF
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
Notes: 1. The 2SD1418 is grouped by hFE1 as follows.
2. Pulse test
Mark
DA
DB
DC
hFE1
60 to 120
100 to 200
160 to 320
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1418DCTR-E 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1419-DE SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1419-DD SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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