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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1468STPQ |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SPT, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | 2SD1468STPQ |
2SD1468S
Transistors
Rev.A
1/3
Muting Transistor (15V, 1A)
2SD1468S
Features
1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.08V at
Ic / IB = 500mA / 500
A.
2) Ideal for low voltage, high current drives.
3) High DC current gain and high current.
External dimensions (Unit : mm)
Taping specifications
SPT
0.45
2.5
(1) (2) (3)
(15Min.)
5.0
3.0
3Min.
0.45
0.5
4.0
2.0
(1)Emitter
(2)Collector
(3)Base
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCES
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
30
15
5
1
0.3
150
55 to +150
Unit
V
A
W
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
fT
Cob
30
15
5
50
0.08
150
15
0.5
0.4
30
V
A
V
MHz
pF
IC
=50A
IC
=1mA
IE
=50A
VCB
=20V
VEB
=4V
IC/IB
=0.5mA/50mA
hFE
120
560
VCE
/IC
=3V/0.1A
VCE
=5V , IE= 50mA , f=100MHz
VCE
=10V , IE=0A , f=1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
DC current transfer ratio
Packaging specifications and hFE
Type
2SD1468S
SPT
QRS
5000
Package
hFE
TP
Code
Basic ordering unit (pieces)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3801T93P | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3766SMDR4 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB |
| 2SA1776TV4/P | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SK322-S | 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N4388 | Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1468STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 15V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1468STPS | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 15V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1470AT-TR-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SD14740P | 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 6A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1474PQ | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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