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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1481-AZ |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | 2SD1481-AZ |
Data Sheet D16189EJ1V0DS
2
2SD1481
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 40 V, IE = 0
1.0
A
DC current gain
hFE1
VCE = 2.0 V, IC = 1.0 A*
2,000
20,000
DC current gain
hFE2
VCE = 2.0 V, IC = 3.0 A*
500
Collector saturation voltage
VCE(sat)
IC = 1.0 A, IB = 1.0 mA*
1.5
V
Base saturation voltage
VBE(sat)
IC = 1.0 A, IB = 1.0 mA*
2.0
V
Turn-on time
ton
0.5
s
Storage time
tstg
2.0
s
Fall time
tf
IC = 1.0 A, IB1 =
IB2 = 10 mA
RL = 50
, VCC 50 V
Refer to the test circuit.
1.0
s
* Pulse test PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2%
hFE CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
hFE1
2,000 to 5,000
4,000 to 10,000
8,000 to 20,000
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
To
ta
lP
o
w
e
r
D
is
s
ip
a
tio
n
P
T
(W
)
Case Temperature Tc (
°C)
Case Temperature TC (
°C)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Col
lec
tor
Cur
ren
t
I
C
(A
)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Col
lec
tor
Cur
ren
t
I
C
(A
)
IC
Der
at
ing
dT
(
%
)
Notes 1. Tc = 25
°C
2.
3.
With infinite heatsink
CASE
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PDF描述 |
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