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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1623-R |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SD1623-R |
2SB1123 / 2SD1623
No.1727-3/5
f T -- IC
Cob -- VCB
--1.0
--10
7
3
5
100
7
5
10
2
27
35
--100
27
35
ITR08901
hFE -- IC
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--10
23
5
--100
23
7
--1000
ITR08897
2SB1123
VCE= --2V
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--10
23
5
--100
23
7
--1000
ITR08899
2SB1123
VCB=10V
2SB1123
f=1MHz
f T -- IC
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
10
23
5
100
23
7
1000
ITR08900
2SD1623
VCB=10V
hFE -- IC
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
10
23
5
100
23
7
1000
ITR08898
2SD1623
VCE=2V
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
100
7
5
10
2
27
35
100
27
35
ITR08902
2SD1623
f=1MHz
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector Current, IC -- mA
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--1200
--1000
--800
--600
--400
--200
0
IC -- VBE
ITR08895
2SB1123
VCE= --2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
1200
1000
800
600
400
200
0
IC -- VBE
ITR08896
2SD1623
VCE=2V
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1123U | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1123-S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1623-U | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1623-R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1123-R | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1623S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1623T-TD | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SD1623T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1624 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1624-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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