參數(shù)資料
型號： 2SD1623U
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PCP, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： 2SD1623U
2SB1123 / 2SD1623
No.1727-3/5
f T -- IC
Cob -- VCB
--1.0
--10
7
3
5
100
7
5
10
2
27
35
--100
27
35
ITR08901
hFE -- IC
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--10
23
5
--100
23
7
--1000
ITR08897
2SB1123
VCE= --2V
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--10
23
5
--100
23
7
--1000
ITR08899
2SB1123
VCB=10V
2SB1123
f=1MHz
f T -- IC
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
10
23
5
100
23
7
1000
ITR08900
2SD1623
VCB=10V
hFE -- IC
2
3
5
10
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
10
23
5
100
23
7
1000
ITR08898
2SD1623
VCE=2V
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
100
7
5
10
2
27
35
100
27
35
ITR08902
2SD1623
f=1MHz
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector Current, IC -- mA
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--1200
--1000
--800
--600
--400
--200
0
IC -- VBE
ITR08895
2SB1123
VCE= --2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
1200
1000
800
600
400
200
0
IC -- VBE
ITR08896
2SD1623
VCE=2V
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1623R 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1623-T 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1123S 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1623T 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1668-Q 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1624 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1624-S 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1624S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1624S-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1624T-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPOLAR PCP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*