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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1624G-R-AB3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 237K |
| 代理商： | 2SD1624G-R-AB3-R |
2SD1624
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 5
www.unisonic.com.tw
QW-R208-005.C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C ,unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Power Dissipation( Tc=25
°C)
Pc
500
mW
DC
Ic
3
A
Collector Current
PULSE
Icp
6
A
Junction Temperature
TJ
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
IC=10μA, IE=0
60
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO
IC=1mA, RBE=∞
50
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
IE=10μA, IC=0
6
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=2A, IB=100mA
0.19
0.5
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=2A, IB=100mA
0.94
1.2
V
Collector Cut-Off Current
ICBO
VCB=40V, IE=0
1
μA
Emitter Cut-Off Current
IEBO
VEB=4V, IC=0
1
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=2V, Ic=100mA
100
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V, IC=50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCE=10V, f=1MHz
25
pF
Turn-ON Time
tON
See test circuit
70
ns
Storage Time
tSTG
See test circuit
650
ns
Fall Time
tF
See test circuit
35
ns
CLASSIFICATION OF hFE
RANK
R
S
T
U
RANGE
100-200
140-280
200-400
280-560
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1624L-R-AB3-R | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624L-S-AB3-R | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624U | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624R | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1624T | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1624-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1624S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1624S-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1624T-TD-E | 功能描述:TRANS NPN BIPOLAR PCP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1624T-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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