參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1624R
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 442K
代理商： 2SD1624R
2SD1624
MCC
Ambient Temperature, Ta -
°C
0
120
20
40
60
80
0
.2
.4
.6
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
100
.8
1.0
1.6
1.4
1.2
1.8
2.0
1.2
2.4
140 160 180
Mounted on ceramic board
(250mm
2 x 0.8mm)
No heat sink
1
100
3
1
2
3
5
7
Collector to Base Voltage, VCB -V
Output
Capacitance,
Cob
-pF
2
5
10
20
50 70
30
7
10
20
30
50
0.01
1.0
3
10
2
3
5
7
Collector Current, IC - A
Gain
-Bandwidth
Product
fT
-MHz
2
5
0.1 2
5 7
3
7
100
2
3
5
2 3
5 7
www.mccsemi.com
Revision: 2
2003/04/30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1624T 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1628 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1628G 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1628-G 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1628-E 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SD1624S-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SD1624T-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPOLAR PCP RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD1624T-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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