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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1628-G |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | 2SD1628-G |
2SD1628
No.1781–2/4
Switching Time Test Circuit
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1628-E | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1630-L | 1000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1630-M | 1000 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1631(TPF2) | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1633Q | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1628G-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1628G-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1630-AZ-K | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk |
| 2SD1630-L(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD1631(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans Darlington NPN 30V 1.5A 3-Pin MSTM Bulk |
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