參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1631
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 146K
代理商： 2SD1631
2SD1631
2010-03-10
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Darlington Power Transistor)
2SD1631
Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
Switching Applications
Power Amplifier Applications
High DC current gain: hFE = 4000 (min) (VCE = 2 V, IC = 150 mA)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 1 A, IB = 1 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage
VCEO
30
V
Emitter-base voltage
VEBO
10
V
Continuous collector current
IC
1.5
A
Continuous base current
IB
50
mA
Collector power dissipation
PC
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note1: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
BASE
EMITTER
COLLECTOR
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PDF描述
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