參數(shù)資料
型號： 2SD1681-Q
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1.2 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126ML, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 168K
代理商： 2SD1681-Q
2SB1141/2SD1681
No.2020–2/4
Switching Time Test Circuit
r
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Pl
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4
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0
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3V
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(
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I
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(
=
B
A
m
0
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(
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8
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–
(2
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–
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(
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S0
7s
n
Continued from preceding page.
VR
RB
VCC=12V
VBE= --5V
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RL
24Ω
100μF
470μF
PW=20μs
IB1
D.C.≤1%
IB2
IC=10IB1= --10IB2=500mA
(For PNP, the porarity is reversed.)
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
2SB1141
2SD1681
IC -- VCE
IB=0
8mA
10mA
2mA
4mA
6mA
ITR09016
0
--2
--6
--5
--1
--3
--4
IC -- VCE
--20mA
--10mA
--12mA
--15mA
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
IB=0
ITR09015
2SB1141
VCE= --2V
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
--1.4
--1.0
--1.2
--0.6
--0.4
--0.8
--0.2
0
1.4
0.2
0.6
0.4
1.2
1.0
0.8
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR09017
2SD1681
VCE=2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IC -- VBE
ITR09018
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
02
6
5
13
4
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1141S 1.2 A, 18 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1681-R 1.2 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SB1141R 1.2 A, 18 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1681-S 1.2 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD1681Q 1.2 A, 18 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1682S 制造商:SANYO 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 2.5A, TO-126 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 2.5A TO-126
2SD1683S 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1683T 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1684 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR TO-1 120V 1.5A 1.3W ECB
2SD1684T 制造商:SANYO 功能描述:mom 100V 1.5A 200 to 400 TO-126ML Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 100V 1.5A TO-126
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