參數(shù)資料
型號： 2SD1766T100/R
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 32 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 58K
代理商： 2SD1766T100/R
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
Transistors
Rev.A
1/3
Medium Power Transistor (32V, 2A)
2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.5V(Typ.)
IC / IB = 2A / 0.2A
2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 /
2SB1240.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4.0
±
0.3
1.0
±
0.2
0.5
±
0.1
2.5
3.0
±0.2
1.5
±0.1
1.5
±0.1
0.4
±0.1
0.5
±0.1
0.4
±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6
±0.1
0.1
+0.2
0.1
+0.2
+
0.3
0.1
2.3
±0.2
2.3
±0.2
0.65
±0.1
0.9
0.75
1.0
±0.2
0.55
9.5
±
0.5
5.5
1.5
±
0.3
2.5
1.5
2.3
0.5
±0.1
6.5
±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0.9
1.0
6.8
±0.2
2.5
±0.2
1.05
0.45
±0.1
2.54 2.54
0.5
±0.1
0.9
4.4
±
0.2
14.5
±
0.5
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : ATV
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SD1766
2SD1758
2SD1862
Abbreviated symbol : DB
Denotes hFE
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
2SD1766
2SD1758
2SD1862
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Collector
power
dissipation
1 Single pulse, Pw=20ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
3 Printed circuit board: 1.7 mm thick, collector copper plating 1 cm2or lager.
Parameter
Symbol
Limits
Unit
VCBO
40
V
VCEO
32
V
VEBO
5V
IC
ICP
2
A (DC)
2.5
A (Pulse)
1
Tj
150
°C
Tstg
55 to +150
°C
PC
0.5
1
3W
2
2
1
W
10
W (Tc
=25°C)
W
相關PDF資料
PDF描述
2SD1766T100P 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1781KT146/PQ 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1781KT146/P 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1781KT146QR 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1781KT146PQ 800 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1767 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANSISTOR SC-62 80V .7A .5W ECB SURFACE MOUNT
2SD1767T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1767T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 0.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1768STPQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DRIVER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1768STPR 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 80V 1A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*