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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1768STPP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | 2SD1768STPP |
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863
Transistors
3/4
!
Packaging specifications and hFE
Package
Taping
Code
2SD1898
Type
T100
1000
hFE
TL
2500
TP
5000
2SD1733
2SD1768S
2SD1863
PQR
QR
R
TV2
2500
Basic ordering unit (pieces)
hFE values are classified as follows :
Item
hFE
R
180~390
Q
120~270
P
82~180
!
Electrical characteristic curves
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
1000
100
10
1
Ta=25
°C
VCE=5V
24
08
10
6
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(
A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (
V)
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics
1.0
0
0.8
0.6
0.4
0.2
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
IB=0mA
Ta=25
°C
0
100
1000
100
0
10
1000
DC
CURRENT
GAIN
:
h
FE
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.3 DC current gain vs.
collector current
Ta=25
°C
VCE=3V
1V
0.01
0.1
1.0
2.0
0.2
0.02
0.05
0.5
100
0
10
1000
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(
V)
COLLECTOR CURRENT : IC (
mA)
Fig.4 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
IC/IB=20/1
Ta=25
°C
10/1
1
2
5
10
20
50 100 200 500 1000
TRANSITION
FREQUENCY
:
f
T(MHz)
EMITTER CURRENT :
IE (mA)
Fig.5 Gain bandwidth product vs.
emitter current
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=25
°C
VCE=5V
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE
:Cob
(pF)
EMITTER
INPUT
CAPACITANCE
:
Cib
(pF)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (
V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE
: VEB (
V)
Fig.6 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
100
1000
10
1
Ta=25
°C
f=1MHz
IE=0A
Ic=0A
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