參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1795
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ITO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 338K
代理商： 2SD1795
Unit : mm
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Case : ITO-220
DarlingtonTransistor
10A NPN
2SD1795
(TP10K40)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`+150
Junction Temperature
Tj
+150
Collector to Base Voltage
VCBO
500
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
400
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
12
V
Collector Current DC
IC
10
A
Collector Current Peak
ICP
15
A
Base Current DC
IB
0.5
A
Base Current Peak
IBP
1.0
A
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
50
W
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to case AC 1 minute
2
kV
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque : 0.3Nmj
0.5
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector to Emitter Sustaining Voltage
VCEO
VCE (Clamp)
Min 400
V
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = 500V
Max 0.1
mA
ICEO
VCE = 400V
Max 0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = 12V
Max 100
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = 2V, IC = 7A
Min 150
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 7A
Max 1.5
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = 70mA
Max 2.0
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 2.5
/W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = 1A
TYP 10
MHz
Turn on Time
ton
Max 2
IC = 7A
Storage Time
ts
IB1 = IB2 = 70mA
Max 15
s
RL = 10
Fall Time
tf
VBB2 = 4V
Max 15
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