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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1801 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 111K |
| 代理商： | 2SD1801 |
Data Sheet D11264EJ1V0DS00
5
2SJ492
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Tch - Channel Temperature - C
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-State
Resistance
-
0
50
0.06
0
50
100
150
ID =
10 A
0.12
0.24
0.18
VGS =
4 V
10 V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
VSD - Source to Drain Voltage - V
ISD
-
Diode
Forward
Current
-
A
0.1
0
1
10
100
1
Pulsed
2
3
VGS =
4 V
VGS = 0 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
VDS - Drain to Source Voltage - V
Ciss,
Coss,
Crss
-
Capacitance
-
pF
10
0.1
100
1000
10000
1
10
100
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
SWITCHING CHARACTERISTICS
ID - Drain Current - A
td(on)
,t
r,
t
d(off)
,t
f-
Switching
Time
-
ns
1.0
0.1
10
100
1000
1
10
100
VDD =
30V
VGS =
10V
RG = 10
td(off)
td(on)
tr
tf
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
IF - Diode Current - A
trr
-
Reverse
Recovery
Time
-
ns
di/dt = 50 A /
VGS = 0
s
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
V
GS
-
Gate
to
Source
Voltage
-
V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
QG - Gate Charge - nC
V
DS
-
Drain
to
Source
Voltage
-
V
0
20
40
60
80
20
40
60
80
2
4
6
8
0
VDD =
48 V
24 V
12 V
VGS
VDS
12
14
10
ID =
16 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SD1801R | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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