參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1801R
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 111K
代理商： 2SD1801R
2SB1201/2SD1801
No.2112–4/5
23
--100
--10
23
5
23
5
7
7 --1000
f T -- IC
1000
10
7
5
2
3
100
7
5
2
3
ITR09152
2SB1201
VCB=10V
23
100
10
23
5
23
5
7
7 1000
f T -- IC
1000
10
7
5
2
3
100
7
5
2
3
ITR09153
2SD1801
VCB=10V
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –mA
5
7
3
2
5
3
--1.0
--10
57
7
--0.01
23
5
23
5
--0.1
--1.0
ITR09158
VBE(sat) -- IC
2SB1201
IC / IB=20
25
°C
75
°C
Ta= --25°C
5
7
3
2
5
3
1.0
10
57
7
0.01
23
5
23
5
0.1
1.0
25
°C
75
°C
Ta= --25°C
ITR09159
VBE(sat) -- IC
2SD1801
IC / IB=20
Cob -- VCB
--1.0
--10
7
3
5
7
5
100
10
2
27
35
--100
27
35
ITR09154
2
5
7
3
2
5
3
--1000
--10
--100
23
57
7
5
--0.01
23
5
3
--0.1
2
--1.0
ITR09156
VCE(sat) -- IC
2SB1201
IC / IB=20
25
°C
Ta=
75°
C
--25
°C
2
5
7
3
2
5
3
1000
10
100
23
57
7
5
0.01
23
5
3
0.1
2
1.0
ITR09157
VCE(sat) -- IC
2SD1801
IC / IB=20
25
°C
Ta=75°
C
--25°
C
2SB1201
f=1MHz
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
7
5
100
10
2
27
35
100
27
35
ITR09155
2SD1801
f=1MHz
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
m
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1201T 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1201 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1802TP-FA 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1802UTP-FA 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1202RTP-FA 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SD1801T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1801T-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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