參數(shù)資料
型號: 2SD1802
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 128K
代理商: 2SD1802
相關PDF資料
PDF描述
2SB1202 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1802 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1802S 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1203S 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1803S 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2SD1802S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1802T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1802TTLE 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:
2SD1802T-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2