參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1802R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
封裝： TO-252, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 283K
代理商： 2SD1802R
UTC2SD1802 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD
1
QW-R209-001,A
HIGH CURRENT SWITCHING
APPLICATION
DESCRIPTION
The UTC 2SD1802 applies to voltage regulators, relay
drivers, lamp drivers, and electrical equipment.
FEATURES
*Adoption of FBET, MBIT processes
*Large current capacity and wide ASO
*Low collector-to-emitter saturation voltage
*Fast switching speed
TO-252
1
1: BASE 2: COLLECTOR 3: EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C ,unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Power Dissipation
Tc=25
°C
Pc
1
15
W
Collector Current(DC)
Ic
3
A
Collector Current(PULSE)
Icp
6
A
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=40V,IE=0
1
A
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=4V,IC=0
1
A
DC Current Gain (note)
hFE1
hFE2
VCE=2V, Ic=100mA
VCE=2V, Ic=3A
100
35
560
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=10V,IC=50mA
150
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V,f=1MHz
25
pF
C-E Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=2A,IB=100mA
0.19
0.5
V
B-E Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=2A,IB=100mA
0.94
1.2
V
C-B Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=10A,IE=0
60
V
C-E Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA,RBE=∞
50
V
E-B Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10A,IC=0
6
V
Turn-on Time
ton
See test circuit
70
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1802S 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1805GTP-FA 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1805FTP 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1805GTP 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1805TP 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1802S-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1802S-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1802T-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1802TTLE 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:
2SD1802T-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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