參數(shù)資料
型號: 2SD1804G-Q-TM3-T
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-251
封裝: HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 198K
代理商: 2SD1804G-Q-TM3-T
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1804
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2009 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R209-006,D
HIGH CURRENT SWITCHING
APPLICATIONS
FEATURES
* Low collector-to-emitter saturation voltage
* High current and high fT
* Excellent linerarity of hFE.
* Fast switching time
* Small and slim package making it easy to make UTC 2SD1804
applied sets smaller.
Lead-free:
2SD1804L
Halogen-free:2SD1804G
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SD1804-x-TM3-T 2SD1804L-x-TM3-T 2SD1804G-x-TM3-T
TO-251
B
C
E
Tube
2SD1804-x-TN3-R 2SD1804L-x-TN3-R 2SD1804G-x-TN3-R
TO-252
B
C
E
Tape Reel
相關PDF資料
PDF描述
2SD1804G-Q-TN3-R 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1804G-S-TN3-R 8000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252
2SD1805G 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1805G 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1805 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1805 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD1805F-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1805F-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1805G-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1805G-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2