參數(shù)資料
型號： 2SD1820A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon NPN epitaxial planer type
中文描述： 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2SD1820A
Transistors
2SD1820A
Silicon NPN epitaxial planer type
1
For general amplification
Complementary to 2SB1219A
I
Features
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
S-mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
60
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
V
EBO
I
CP
50
V
Emitter to base voltage
5
V
Peak collector current
1
A
Collector current
I
C
P
C
T
j
500
mA
Collector power dissipation
150
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Marking Symbol: X
Note)*1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Rank
Q
R
S
No-rank
h
FE1
85 to 170
120 to 240
170 to 340
85 to 340
Marking symbol
XQ
XR
XS
X
Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CBO
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
2 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
150 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
500 mA
I
C
=
300 mA, I
B
=
30 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
0.1
μ
A
Collector to base voltage
60
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
V
EBO
h
FE1
*2
50
V
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
*1
5
V
85
340
h
FE2
V
CE(sat)
f
T
40
Collector to emitter saturation voltage
*1
Transition frequency
*1
0.35
0.6
V
200
MHz
Collector output capacitance
C
ob
6
15
pF
Unit: mm
2
±
1.3
±0.1
0.3
+0.1
2.0
±0.2
1
±
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
±
0
0
+
–
0.15
+0.10
5
°
10
°
1: Base
2: Emitter
3: Collector
EIAJ: SC-70
S-Mini Type Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1820 Silicon NPN epitaxial planer type
2SD1821 Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise amplification)
2SD1821A Silicon NPN epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-frequency and low-noise amplification)
2SD1823 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD1824 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1820A0L 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1820ARL 功能描述:TRANS NPN GP AMP 50VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1820G0L 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1820GRL 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD18210RL 功能描述:TRANS NPN 150VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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