參數(shù)資料
型號: 2SD1830-YA
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù): 1/1頁
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代理商: 2SD1830-YA
相關PDF資料
PDF描述
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2SD1195-RC 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2SB1224-YB 7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1827-RB 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1828-YA 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1832 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TP-220FP80V 5A 30W BCE
2SD1833 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY ROHM TRANS. TO-220FP100V 7A 30W BCE
2SD1834T100 功能描述:達林頓晶體管 DARL NPN 60V 1A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1835S 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1835S-AA 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2