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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1891Q |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | 2SD1891Q |
2
Power Transistors
2SD1891
PC —Ta
IC —VCE
VBE(sat) —IC
VCE(sat) —IC
hFE —IC
Cob —VCB
ton, tstg, tf — IC
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
60
50
40
30
20
10
(1)
(2)
(3)
(4)
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) With a 50
× 50 × 2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C=2W)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
012
10
8
26
4
0
6
5
4
3
2
1
T
C=25C
I
B=3mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.1
1
10
100
0.3
3
30
0.1
100
10
1
0.3
3
30
I
C/IB=1000
T
C=–25C
100C
25C
Collector current I
C
(A)
Base
to
emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
0.1
1
10
100
0.3
3
30
0.1
100
10
1
0.3
3
30
I
C/IB=1000
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
30000
100000
V
CE=5V
25C
–25C
T
C=100C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
1
3
10
30
100
1
1000
100
10
3
30
300
I
E=0
f=1MHz
T
C=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
08
26
4
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Pulsed t
w=1ms
Duty cycle=1%
I
C/IB=1000 (IB1=–IB2)
V
CC=50V
T
C=25C
t
stg
t
f
t
on
Collector current I
C
(A)
Switching
time
t
on
,t
stg
,t
f
(
s
)
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C=25C
I
CP
I
C
10ms
t=1ms
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
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http://panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1896/CD | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1896/C | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SD1897 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD1905S | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1905Q | 7 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1897 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1898T100 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD1898T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1898T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD1898T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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