參數(shù)資料
型號: 2SD1953
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for 120V/1.5A Driver Applications(120V/1.5A驅(qū)動器應(yīng)用的NPN硅外延平面型晶體管)
中文描述: 瑞展硅晶體管的120V/1.5A驅(qū)動應(yīng)用(120V/1.5A驅(qū)動器應(yīng)用的npn型硅外延平面型晶體管)
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代理商: 2SD1953
2SD1953
No.2507–2/3
Electrical Connection
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2165M 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165L 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2165K 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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2SD2645 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SD1955 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-64(TP)110V 3A 20W BCE
2SD1957 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220FP 120V 7A 30W BCE
2SD1958 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO220ML200V 1.5A 30W
2SD1963T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1963T100S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2