參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1974
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： UPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 33K
代理商： 2SD1974
2SD1974
6
Package Dimensions
4.5
± 0.1
1.8 Max
1.5
± 0.1
0.44 Max
0.48 Max
0.53 Max
1.5 1.5
3.0
2.5
±0.1
4.25
Max
0.8
Min
φ 1
0.4
(1.5)
(2.5)
(0.4)
(0.2)
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
UPAK
—
Conforms
0.050 g
As of January, 2001
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2062F31/F 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2SC4850F31/E 7 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2SA1788/F 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2SA1789F31/DE 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
2SC4652F31/D 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1980TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape
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