參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1975A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification)
中文描述： 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP3L, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： 2SD1975A
1
Power Transistors
2SD1975, 2SD1975A
Silicon NPN triple diffusion planar type
For high power amplification
Complementary to 2SB1317 and 2SB1317A
I
Features
G
Satisfactory foward current transfer ratio h
FE
collector current I
C
characteristics
G
Wide area of safe operation (ASO)
G
High transition frequency f
T
G
Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier
I
Absolute Maximum Ratings
(T
C
=25C)
I
Electrical Characteristics
(T
C
=25C)
Parameter
Collector cutoff
current
Emitter cutoff current
Forward current transfer ratio
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2*
h
FE3
V
BE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 180V, I
E
= 0
V
CB
= 200V, I
E
= 0
V
EB
= 3V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 20mA
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
V
CE
= 5V, I
C
= 8A
V
CE
= 5V, I
C
= 8A
I
C
= 10A, I
B
= 1A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A, f = 1MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
20
60
20
typ
20
200
max
50
50
50
200
1.8
2.5
Unit
μ
A
μ
A
V
V
MHz
pF
*
h
FE2
Rank classification
Rank
Q
S
P
h
FE2
60 to 120
80 to 160
100 to 200
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TOP–3L Package
20.0
±
0.5
6
1
2
±
0
2
±
0
1
2
S
10.9
±
0.5
1
2
3
2.0
±
0.3
3.0
±
0.3
1.0
±
0.2
5.0
±
0.3
3.0
4
2
5.45
±
0.3
0.6
±
0.2
1.5
2.7
±
0.3
1.5
2
φ
3.3
±
0.2
3
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
180
200
180
200
5
25
15
150
3.5
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
2SD1975
2SD1975A
2SD1975
2SD1975A
T
C
=25
°
C
Ta=25
°
C
2SD1975
2SD1975A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1977 PNP EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFUSSED TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
2SD1979 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SD1985 Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD1985A Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
2SD1991A Silicon NPN epitaxial planer type
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1980TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*