參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1975AS
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TOP3L, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 173K
代理商： 2SD1975AS
2
Power Transistors
2SD1975, 2SD1975A
PC —Ta
IC —VCE
IC —VBE
VCE(sat) —IC
hFE —IC
fT —IC
Cob —VCB
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
200
150
50
100
(1) T
C=Ta
(2) With a 100
× 100 × 2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C=3.5W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
012
10
8
26
4
0
24
20
16
12
8
4
I
B=1000mA
T
C=25C
800mA
700mA
600mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
04
13
2
0
24
20
16
12
8
4
V
CE=5V
T
C=–25C
25C
100C
Base to emitter voltage V
BE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.1
1
10
100
0.3
3
30
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
C/IB=10
T
C=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
Collector
to
emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0.1
1
10
100
0.3
3
30
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE=5V
25C
–25C
T
C=100C
Collector current I
C
(A)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
0.01
0.1
1
10
0.03
0.3
3
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE=10V
f=1MHz
T
C=25C
Collector current I
C
(A)
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
1
3
10
30
100
10
10000
1000
100
30
300
3000
I
E=0
f=1MHz
T
C=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
Collector
output
capacitance
C
ob
(pF
)
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C=25C
t=10ms
100ms
DC
I
CP
I
C
2SD1975
2SD1975A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
Collector
current
I
C
(A
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1975AQ 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1976 6 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD1979GT 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1979GS 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1981 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1979 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD19790SL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1979GSL 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD1980TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 D-PAK;BCE NPN;DARL SMT RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1980TLR 制造商:Rohm 功能描述:NPN_[g 100V 2A 1000`10000 DPak, SC63,TO252 Cut Tape
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