- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371527 > 2SD1995 (PANASONIC CORP) Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SD1995 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 中文描述： | 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MT-1-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | 2SD1995 |
2
Transistor
2SD1995
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
E
C
ob
— V
CB
NV — I
C
NV — V
CE
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
500
400
300
200
100
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
160
120
40
100
140
80
20
60
Ta=25C
20
μ
A
30
μ
A
40
μ
A
50
μ
A
60
μ
A
70
μ
A
80
μ
A
90
μ
A
10
μ
A
I
B
=100
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=10V
Ta=75C
–25C
25C
C
C
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=10
25C
–25C
Ta=75C
Collector current I
C
(mA)
C
C
0
–1
–10
–100
– 0.3
Collector current I
C
(mA)
–3
–30
1000
800
600
400
200
V
CE
=10V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
0
–1
–10
–100
– 0.3
Emitter current I
E
(mA)
–3
–30
250
200
150
100
50
V
=10V
Ta=25C
T
T
1
3
10
30
100
0
8
6
2
5
7
4
1
3
I
=0
f=1MHz
Ta=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
1
3
10
30
100
0
100
80
60
40
20
V
CE
=10V
G
=80dB
Function=FLAT
Ta=25C
5k
R
g
=100k
22k
Collector current I
C
(mA)
N
1
3
10
30
100
0
100
80
60
40
20
I
C
=1mA
G
=80dB
Function=FLAT
Ta=25C
5k
R
g
=100k
22k
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
N
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1996 | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification) |
| 2SD2000 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching) |
| 2SD2012 | Audio Frequency Power Amplifier NPN Transistor(音頻功率放大器NPN晶體管) |
| 2SD2018 | Silicon NPN epitaxial planar type darlington |
| 2SD2029 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD19960RA | 功能描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD19960SA | 功能描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD19960TA | 功能描述:TRANS NPN LOW VOLT 20VCEO MT-1 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1996-S | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD200 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:XISTOR |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。