參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1998
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PCP, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 77K
代理商: 2SD1998
2SB1324 / 2SD1998
No.3130-3/4
Cob -- VCB
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
A S O
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
PC -- Ta
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
Ambient Temperature, Ta --
°C
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
ITR09594
10ms
1ms
1.0
5
2
3
2
33
2
3
55
7
57
10
0.1
7
5
2
3
7
5
7
2
1.0
10
3
DC
operation
--0.1
23
2
3
55
7
--1.0
7
5
7
5
--1.0
3
2
ITR09592
Ta=75°C
25°C
--25°C
0.1
23
2
3
55
7
1.0
7
5
7
5
1.0
3
2
ITR09593
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.5
1.6
ITR09595
IC / IB=20
2SB1324
Ta=75°C
25
°C
--25°C
IC / IB=20
2SD1998
100ms
2SB1324 / 2SD1998
--0.1
23
2
3
55
7
--1.0
7
--100
7
--1000
5
3
5
3
2
ITR09590
IC / IB=20
Ta
=7
5°
C
25
°C
--25
°C
0.1
23
2
3
55
7
1.0
7
100
7
1000
5
3
5
3
2
ITR09591
f=1MHz
--1.0
--10
2
23
3
55
7
10
7
100
5
3
2
ITR09588
1.0
10
2
23
3
55
7
10
7
100
5
3
2
ITR09589
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1324
IC / IB=20
2SD1998
f=1MHz
2SD1998
ICP=5A
IC=3A
Ta=25
°C
Single pulse
For PNP, minus sign is omitted
Mounted on a ceramic board (250mm2
0.8mm)
Mounted
on
a
ceramic
board
(250mm
2
0.8mm)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1324 3 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2006T105Q 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2006T105P 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2006T105 0.7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2012 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD200 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:XISTOR
2SD2000 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 80V 4A 35W BCE
2SD20000P 功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 4A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2000O 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR
2SD2000P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR