參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2012
廠商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: PLASTIC, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 702K
代理商: 2SD2012
2SD2012
MCC
Revision: 3
2006/05/18
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
3 of 4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2031BRR 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD2030CRR 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD2030CRF 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD2030CRF 100 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SD2031BRR 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2012(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SD2012(F,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 60V VCE 0.4 Ic 2A Audio Freq App RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2012,F(J 制造商:Toshiba 功能描述:The same specification as 2SD2012(F) Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:0
2SD2012_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTOR
2SD2012_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type