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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2051 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planar type Darlington(For low-frequency amplification) |
| 中文描述： | 1.6 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, SC-67, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SD2051 |
2
Power Transistors
2SD2051
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
4
3
1
2
Without heat sink
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
B
=100
μ
A
90
μ
A
80
μ
A
70
μ
A
60
μ
A
50
μ
A
40
μ
A
T
C
=25C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=1000
T
C
=–25C
25C
100C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=1000
100C
T
C
=–25C
25C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
V
CE
=10V
25C
–25C
T
C
=100C
F
F
1
3
10
30
100
0
20
16
12
8
4
18
14
10
6
2
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2052 | Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2051Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.6A I(C) | SOT-186 |
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| 2SD2051S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.6A I(C) | SOT-186 |
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| 2SD2052P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 9A I(C) | TO-247VAR |
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