參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2118/QS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 10000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 81K
代理商: 2SD2118/QS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1760/QR 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1181/P 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1832C7/EF 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
2SD2400/EF 1.5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN
2SB1292/DF 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2118R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR
2SD2118S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252VAR
2SD2118TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2118TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2118-TLR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR SMD PNP 80V 1A