參數(shù)資料
型號： 2SD2118TLQ
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CPT3, SC-63, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 113K
代理商： 2SD2118TLQ
2SD2098 / 2SD2118
Transistors
Rev.B
1/4
Low VCE(sat) transistor (strobe flash)
2SD2098 / 2SD2118
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) = 0.25V (Typ.)
(IC/IB = 4A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
Dimensions (Unit : mm)
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
20
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
Collector current
IC
5
A(DC)
ICP
10
1
A(Pulse)
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Collector power
dissipation
PC
0.5
2SD2098
2SD2118
2
1
10
W(Tc
=25°C)
W
1 Single pulse Pw=10ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SD2098
2SD2118
Abbreviated symbol : DJ
Denotes hFE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2101 10 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD2101 10 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2102 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2104 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2104 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SD2118-TLR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR SMD PNP 80V 1A
2SD212 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 90V 1A 100W BEC
2SD2120 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General Driver Applications
2SD2121 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon NPN Epitaxial
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