參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2153E
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 25V的五（巴西）總裁|甲一（c）|律師- 62
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： 2SD2153E
10
3
1.0
0.3
0.11m
10m
100m
1.0
10
100
1000
T
C
= 25°C
T
j
°
C
Transient Thermal Resistance
Time t (s)
2SD2103
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2153U TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62
2SD2153V TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62
2SD2153W TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62
2SD2155O TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR
2SD2155R TRANSISTOR | BJT | NPN | 180V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR
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參數(shù)描述
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2SD2153T100U 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2153T100V 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 25V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2153T100W 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2153U 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-62
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