參數(shù)資料
型號： 2SD2165
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 118K
代理商： 2SD2165
Data Sheet D13178EJ3V0DS
2
2SD2165
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0 A
10
A
Emitter cutoff current
IEBO
VEB = 7.0 V, IC = 0 A
10
A
DC current gain
hFE1
VCE = 5.0 V, IC = 1.0 A
Note
800
1,300
3,200
DC current gain
hFE2
VCE = 5.0 V, IC = 3.0 A
Note
500
1,000
Collector saturation voltage
VCE(sat)
IC = 3.0 A, IB = 30 mA
Note
0.3
1.0
V
Base saturation voltage
VBE(sat)
IC = 3.0 A, IB = 30 mA
Note
1.2
V
Gain bandwidth product
fT
VCE = 5.0 V, IC = 0.1 A
110
MHz
Collector capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0 A, f = 1.0 MHz
50
pF
Note Pulse test PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2%
hFE1 CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
hFE1
800 to 1,600
1,000 to 2,000
1,600 to 3,200
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PDF描述
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