參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2177AS
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 229K
代理商： 2SD2177AS
ATP302
No. A1654-2/4
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Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=--35A, VGS=--10V
10
13
mΩ
RDS(on)2
ID=--35A, VGS=--4.5V
13
18
mΩ
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
5400
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
500
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
370
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specied Test Circuit.
35
ns
Rise Time
tr
See specied Test Circuit.
430
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specied Test Circuit.
420
ns
Fall Time
tf
See specied Test Circuit.
500
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--36V, VGS=--10V, ID=--70A
115
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--36V, VGS=--10V, ID=--70A
20
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--36V, VGS=--10V, ID=--70A
25
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--70A, VGS=0V
--1.0
--1.5
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : ATPAK
0.7
0.4
0.55
9.5
7.3
0.5
1.7
4.6
6.05
13
2
6.5
0.6
4
0.8
0.5
1.5
0.4
2.6
4.6
0.4
0.1
2.3
PW=10μs
D.C.≤1%
P.G
50Ω
G
S
D
ID= --35A
RL=1.03Ω
VDD= --36V
VOUT
VIN
0V
--10V
VIN
ATP302
50Ω
0V
--10V
≥50Ω
RG
VDD
L
ATP302
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2191TL2/W 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2191TL2U 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2191TL2 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2191TL2/U 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2200Q 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2177R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-71
2SD2177S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | SC-71
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2SD21780RA 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 2A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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