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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2203-S |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SD2203-S |
2SB1455/2SD2203
No.3250–2/4
Switching Time Test Circuit
r
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t
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a
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Pl
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b
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(
E
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IC
I
,
A
4
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–
(
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B
A
4
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0
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(
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4
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5
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–
(V
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CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
m
1
)
–
(
=
E 0
=0
9
)
–
(V
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g
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V
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w
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B
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CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
8
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
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k
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B
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B
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m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
m
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
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S
)
2
.
0
(s
4
.
0s
Continued from preceding page.
OUTPUT
50
100
1
25
100
F
470
F
10IB1=--10IB2=IC=2A
For PNP, the polarity is reversed.
+
RL
VCC=50V
VBE=--5V
INPUT
PW=20
s
D.C.
≤1%
IB1
IB2
ITR09755
ITR09756
IC -- VCE
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0
--2
--1
--3
--4
--6
--5
--7
--8
--9
--10
IB=0
--50mA
--100mA
--150mA
--200mA
--250mA
--300mA
IC -- VCE
2SB1455
From top
--500mA
--450mA
--400mA
--350mA
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
2
1
3
4
6
5
7
8
9
10
IB=0
50mA
100mA
150mA
200mA
250mA
2SD2203
300mA
350mA
400mA
ITR09758
IC -- VCE
0
400
800
1200
1600
2000
0
4
2
6
8
12
10
14
16
18
20
IB=0
50mA
100mA
150mA
200mA
250mA
500mA
450mA
ITR09757
IC -- VCE
0
--400
--800
--1200
--1600
--2000
0
--4
--2
--6
--8
--12
--10
--14
--16
--18
--20
IB=0
--50mA
--100mA
--150mA
2SB1455 From top
--500mA
--450mA
--400mA
--350mA
--300mA
--250mA
--200mA
2SD2203 From top
500mA
450mA
400mA
350mA
300mA
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4161-M | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB1241TV4/PQ | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5013-GB | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N5416 | 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2SK1069-21-TR | 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2204 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITHCING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS) |
| 2SD2204_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Triple Diffused Type |
| 2SD2206 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) |
| 2SD2206(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SD2206(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS NPN 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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